mos晶体管的特性3d模型 - mos晶体管的iv特性
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文章信息一览：
PMOS管的介绍
PMOS用于在逻辑电路中实现逻辑功能，如负责逻辑门的电源。NMOS（N型MOS）：NMOS是一种N型半导体MOSFET，其主要由N型材料制成。当栅极电压为正电压时，NMOS处于导通状态，栅极电压为负电压时，NMOS处于截止状态。
它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。
输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS管是什么?
mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
叫MOS管，就是场效应管，在电路用来作放大或控制。
MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。
MOS管：场效应管。***用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate，源极Source，漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。
mos管开关特性
MOS管的开关特性：MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。
低输入电流：MOSFET的栅极是电容性的，只需很小的电流就能充放电，因此它的输入功耗非常低。这使得MOSFET在频繁开关和高效率要求的应用中非常有优势，如电源开关、放大器等。
这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
好的MOS管应该具有较快的响应速度和稳定的开关特性。响应速度是指MOS管从开启状态到关闭状态或者从关闭状态到开启状态的时间，而开关特性则关注MOS管在不同电压和电流条件下的开关性能。
MOS管的特性 开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足VgsVgs（th）即可导通，PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。
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